Полупроводниковый кристалл последовательно соединен с резистором R и источником постоянного напряжения V. Оптическая волна, которую нужно зарегистрировать, падает на кристалл и поглощается им, возбуждая при этом электроны в зону проводимости (или в полупроводниках p-типа – дырки в валентную зону). Такое возбуждение приводит к уменьшению сопротивления Rd полупроводникового кристалла и, следовательно, к увеличению падения напряжения на […]
Статьи по электронике
Регистрация оптического излучения
Для регистрации оптического излучения его световую энергию обычно преобразуют в электрический сигнал, который затем измеряют обычным способом. При этом преобразовании обычно используют следующие физические явления: генерацию подвижных носителей в твердотельных фотопроводящих детекторах; изменение температуры термопар при поглощении излучения, приводящее к изменению термо-э. д. с.; эмиссию свободных электронов в результате фотоэлектрического эффекта с фоточувствительных пленок. Наиболее […]
Применение фоторезисторов
В последние годы фоторезисторы широко применяются во многих отраслях науки и техники. Это объясняется их высокой чувствительностью, простотой конструкции, малыми габаритами и значительной допустимой мощностью рассеяния. Значительный интерес представляет использование фоторезисторов в оптоэлектронике.
Изготовление фоторезисторов
В качестве материалов для фоторезисторов широко используются сульфиды, селениды и теллуриды различных элементов, а также соединения типа AIIIBV. В инфракрасной области могут быть использованы фоторезисторы на основе PbS, PbSe, PbTe, InSb, в области видимого света и ближнего ультрафиолета – CdS.
Параметры фоторезисторов
Рабочее напряжение Uр – постоянное напряжение, приложенное к фоторезистору, при котором обеспечиваются номинальные параметры при длительной его работе в заданных эксплуатационных условиях. Максимально допустимое напряжение фоторезистора Umax – максимальное значение постоянного напряжения, приложенного к фоторезистору, при котором отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной работе в заданных эксплуатационных условиях. Темновое […]
Характеристики фоторезисторов
Основными характеристиками фоторезисторов являются: Вольтамперная Характеризующая зависимость фототока (при постоянном световом потоке Ф) или темнового тока от приложенного напряжения. Для фоторезисторов эта зависимость практически линейна. Закон Ома нарушается в большинстве случаев только при высоких напряжениях на фоторезисторе. Световая (люксамперная) Характеризующая зависимость фототока от падающего светового потока постоянного спектрального состава. Полупроводниковые фотрезисторы имеют нелинейную люксамперную характеристику. […]
Конструкция и схема включения фоторезистора. Темновой и световой ток
Фоторезисторами называют полупроводниковые приборы, проводимость которых меняется под действием света. Основным элементом фоторезистора является в первом случае монокристалл, а во втором – тонкая пленка полупроводникового материала. Если фоторезистор включен последовательно с источником напряжения и не освещен, то в его цепи будет протекать темновой ток Iт = E / (Rт + Rн) где Е – э. […]
Фотопроводимость. Фоторезистивный эффект
Явлением фотопроводимости называется увеличение электропроводности полупроводника под воздействием электромагнитного излучения. При освещении полупроводника в нем происходит генерация электронно-дырочных пар за счет переброса электронов из валентной зоны в зону проводимости. Вследствие этого проводимость полупроводника возрастает на величину Ds = e (mn Dni + mp Dpi) где e – заряд электрона; mn – подвижность электронов; mp – […]